专利
一种利用废旧聚酯制备氮化碳半导体材料的方法及其制品
发布时间：2022-12-19 点击次数：
所属单位：华中科技大学
学校署名：华中科技大学
发明设计人：刘宁,伏佳彤,郝亮,白慧颖,胡振,牛冉
专利说明：本发明属于氮化碳技术领域，具体涉及一种利用废旧聚酯制备氮化碳半导体材料的方法及其制品。本发明制备方法包括以下步骤：(1)将聚酯碎片、含氮前驱体化合物和锌化合物混合均匀得到混合物；(2)将混合物加热发生共聚反应，分离后即可得到石墨相氮化碳半导体材料。本发明提供一种操作简单且低成本的氮化碳材料的制备方法，不仅为大量废旧聚酯的回收再利用提供了一条新的绿色途径，也为制备带隙可调且高催化活性的石墨相氮化碳半导体材料提供了新的简便方法，具有广阔的应用前景。
专利类型：实用新型
申请号：202110360649.4
授权号：ZL 202110360649.4
申请日期：2021-04-02
公开日期：2021-07-30
授权日期：2022-11-01
第一作者：龚江