华中科技大学主页平台管理系统卢红成--中文主页-- Su, J.; Feng, L. P.*; Zheng, X.; Hu, C.; Lu, H.; Liu Z. T.; Promising Approach for High Performance of MoS2 Nanodevice: Doping the BN Buffer Layer to Eliminate the Schottky Barriers. ACS Applied Materials & Interfaces, 2017, 9(46), 40940-40948;

卢红成

研究员（自然科学）

博士生导师

硕士生导师

性别：男

在职信息：在职

所在单位：化学与化工学院

学历：研究生(博士)毕业

学位：工学博士学位

学科：无机化学
材料学
材料物理与化学

同专业博导同专业硕导团队成员

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论文成果

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Su, J.; Feng, L. P.*; Zheng, X.; Hu, C.; Lu, H.; Liu Z. T.; Promising Approach for High Performance of MoS2 Nanodevice: Doping the BN Buffer Layer to Eliminate the Schottky Barriers. ACS Applied Materials & Interfaces, 2017, 9(46), 40940-40948;

发布时间：2019-03-08 点击次数：

上一条：Lu, H.; Gautier, R.; Li, Z.-X.; Jie, W.; Liu, Z.; Poeppelmeier, K. R.*, The Dimeric [V2O2F8]4− Anion: Structural Characterization of a Magnetic Basic-Building-Unit. Journal of Solid State Chemistry 2013, 200(0), 105-109;

下一条：Donakowski, M. D.; Lu, H.; Gautier, R.; Saha, R.; Sundaresan, A.; Poeppelmeier, K. R. *, Synthesis and Magnetic Properties of β-KVOF3. Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie 2014, 640(6), 1109-1114;

地址：湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号邮政编码：430074

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