Validation of van der Waals Interface for Enhanced Resistive Switching Performance in Memristor by Using Topotactic Phase Transition Material
发布时间：2024-09-24
点击次数：
- 论文类型：
- 期刊论文
- 第一作者：
- Rui Su,Yuheng Deng,Weichao Jiang
- 通讯作者：
- Weiming Cheng,Jingping Xu,Peter To Lai
- 合写作者：
- Yufeng Duan,Runqing Zhang,Ruizi Xiao,Chenglin Shen,Mingxing Gong,Xiangshui Miao
- 发表刊物：
- ACS Applied Electronic Materials
- 收录刊物：
- SCI
- 所属单位：
- 华中科技大学
- 学科门类：
- 工学
- 一级学科：
- 电子科学技术
- 文献类型：
- J
- 卷号：
- 6
- 期号：
- 9
- 页面范围：
- 6338-6343
- 发表时间：
- 2024-09-24
附件：
- 上一条：Oxygen Vacancy Compensation-Induced Analog Resistive Switching in the SrFeO3−δ/Nb:SrTiO3 Epitaxial Heterojunction for NoiseTolerant High-Precision Image Recognition
- 下一条：Improved cycling stability and ON-OFF ratio of SrFeOx topological phase transition memristors using a La0.7Sr0.3MnO3 bottom electrode