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光刻成像理论与计算光刻技术
面向集成电路(IC)制造中光刻掩模设计优化难题，开展光刻成像建模、掩模设计优化、大规模计算机集群并行计算等研究，重点包括三维掩模模型及其半解析麦克斯韦求解算法、高NA矢量成像模型及其卷积变量分离求解算法、三维光刻胶模型及维纳非线性系统求解方法等理论方法研究与工程实践，为IC设计与制造提供桥梁与工具。