3. 宽禁带半导体器件
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功率半导体芯片是超越摩尔定律的重要组成部分，制造功率半导体芯片的材料从传统的Si向以SiC、GaN为代表的宽禁带半导体材料发展。SiC和GaN等宽禁带半导体具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。
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功率半导体芯片是超越摩尔定律的重要组成部分，制造功率半导体芯片的材料从传统的Si向以SiC、GaN为代表的宽禁带半导体材料发展。SiC和GaN等宽禁带半导体具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。