个人信息
Personal information
教授 博士生导师
所在单位：集成电路学院
学历：研究生(博士)毕业
学位：博士学位
毕业院校：华中科技大学
学科：微电子学与固体电子学曾获荣誉：
2024 华中科技大学青年五四奖章
2022 华为奥林帕斯先锋奖
2020 湖北省技术发明一等奖（排名第2）
2013 湖北省年度“十大科技事件”
2013 湖北省优秀博士学位论文
2014 湖北省优秀学士学位论文指导教师
2015 华中科技大学教师教学竞赛二等奖
2017 华中科技大学光学与电子信息学院“我最喜爱的教师班主任“
2020 华中科技大学光学与电子信息学院突出贡献一等奖
论文类型：期刊论文
第一作者：赵锐哲
通讯作者：童浩
合写作者：缪向水
发表刊物：physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters
所属单位：华中科技大学
学科门类：工学
一级学科：电子科学与技术
文献类型：J
卷号：17
期号：8
页面范围：2200463
关键字：high aspect-ratio, multilevel cells, phase-change memory, powerconsumption
DOI码：10.1002/pssr.202200463
发表时间：4495-09-01
摘要：Storage density improvement is a key challenge for phase-change memory (PCM)application for storage class memory (SCM). The high-aspect-ratio design inconfined-structure PCM enables controllable multilevel cell (MLC) operation.However, the increasing aspect-ratio will cause too large energy consumption tosuccessfully operate the PCM. The trade-off of different aspect-ratio sizes ofGe2Sb2Te5(GST) nanowires (NWs) is investigated. Through COMSOL simula-tion and experiments, with the same Reset energy, the limit of aspect-ratiodecreases with increasing NWs lengths. In the meantime, larger Reset energy isrequired with a larger length for the same aspect-ratio devices. Finally, the designrange of the high aspect-ratio is optimized in which the NWs length size is below1.5 um and the aspect-ratio ranges from 8:1 to 10:1. This work can provideguidance for the design of high-aspect-ratio 3D PCM with better MLC.RESEARCH ARTICLEwww.pss-rapid.comPhys. Status Solidi RRL2023,17, 22004632200463 (1 of 5)© 2023 Wiley-VCH GmbH
发布期刊链接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/pssr.202200463