个人信息
Personal information
教授 博士生导师
所在单位：集成电路学院
学历：研究生(博士)毕业
学位：博士学位
毕业院校：华中科技大学
学科：微电子学与固体电子学曾获荣誉：
2024 华中科技大学青年五四奖章
2022 华为奥林帕斯先锋奖
2020 湖北省技术发明一等奖（排名第2）
2013 湖北省年度“十大科技事件”
2013 湖北省优秀博士学位论文
2014 湖北省优秀学士学位论文指导教师
2015 华中科技大学教师教学竞赛二等奖
2017 华中科技大学光学与电子信息学院“我最喜爱的教师班主任“
2020 华中科技大学光学与电子信息学院突出贡献一等奖
论文类型：期刊论文
第一作者：蔡旺,王伦
通讯作者：童浩
合写作者：万代兴,何达,缪向水,林琪
发表刊物：IEEE Electron Device Letters
所属单位：华中科技大学
学科门类：工学
一级学科：电子科学与技术
文献类型：J
卷号：42
期号：5
页面范围：688-691
关键字：Ovonic threshold switching (OTS), selector, 1S1R, high-density memory array.
DOI码：10.1109/LED.2021.3064857
发表时间：4426-04-01
摘要：In this letter, we fabricated a C-doped GeTe x Ovonic threshold switching (OTS) selector in a via-hole structure. The material composition is simple without toxic element doping. Performance of the GeTe x -based selector is improved to be comparable to commercial GeSe-based selectors through C doping. A selector with advantages of low off-current (2 nA), low threshold voltage (1.26 V) accompanying with a big voltage window (0.55 V), high selectivity ( > 4.2×10 4 ), satisfactory endurance (> 10 7 cycles with 2 mA on-current), low cycle-to-cycle V th variation and fast operating speed (8.5 ns) was fabricated. Besides, selector with self-limited on-current character was found. Next, reasons behind off-current reduction and consistency improvement by using C doping were studied by First-principles calculations.
发布期刊链接：https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/9373425