个人信息
Personal information
教授 博士生导师
所在单位：集成电路学院
学历：研究生(博士)毕业
学位：工学博士学位
毕业院校：华中科技大学
学科：微电子学与固体电子学曾获荣誉：
2024 华中科技大学青年五四奖章
2022 华为奥林帕斯先锋奖
2020 湖北省技术发明一等奖（排名第2）
2013 湖北省年度“十大科技事件”
2013 湖北省优秀博士学位论文
2014 湖北省优秀学士学位论文指导教师
2015 华中科技大学教师教学竞赛二等奖
2017 华中科技大学光学与电子信息学院“我最喜爱的教师班主任“
2020 华中科技大学光学与电子信息学院突出贡献一等奖
论文类型：期刊论文
第一作者：吴倩倩
通讯作者：缪向水,徐明
合写作者：程晓敏,Wu,Liangcai,童浩,倩航,徐萌,徐开朗
发表刊物：Advanced Electronic Materials
所属单位：华中科技大学
学科门类：工学
一级学科：电子科学与技术
文献类型：J
卷号：4
期号：9
页面范围：1800127
DOI码：10.1002/aelm.201870043
发表时间：4325-01-01
摘要：Phase-change memory (PCM) is a promising candidate for next-generation memory technology due to the fast switching and large property contrast between the crystalline and amorphous phases. However, the large difference of mass density between these two phases is one of the major factors that lead to the failure of PCM devices. In this work, it is discovered that the carbon alloying remarkably reduces the density change of GeSb film (GeSbC), a chalcogen-free material with high stability and good switching properties, from ≈6% to ≈3%. In particular, it is focused on the mechanism how carbon affects the structure of GeSbC alloys through X-ray photoelectron spectroscopy and ab initio calculations, demonstrating that this dopant has increased the packing efficiency by forming small tetrahedral clusters in the bonding region of the glass. The results have important implications on the design of durable phase-change memory materials.
发布期刊链接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/aelm.201800127