个人信息
Personal information
教授 博士生导师
所在单位：集成电路学院
学历：研究生(博士)毕业
学位：工学博士学位
毕业院校：华中科技大学
学科：微电子学与固体电子学曾获荣誉：
2024 华中科技大学青年五四奖章
2022 华为奥林帕斯先锋奖
2020 湖北省技术发明一等奖（排名第2）
2013 湖北省年度“十大科技事件”
2013 湖北省优秀博士学位论文
2014 湖北省优秀学士学位论文指导教师
2015 华中科技大学教师教学竞赛二等奖
2017 华中科技大学光学与电子信息学院“我最喜爱的教师班主任“
2020 华中科技大学光学与电子信息学院突出贡献一等奖
论文类型：期刊论文
第一作者：Long.X.M
通讯作者：缪向水
合写作者：Liu.C,Huang.J.D,Yang.D.H,李祎,童浩,程晓敏,Sun.J.J
发表刊物：Solid-State Electronics
所属单位：华中科技大学
学科门类：工学
一级学科：电子科学与技术
文献类型：J
卷号：67
期号：1
页面范围：1-5
关键字：Phase change memory
Critical dimension
Sidewall angle
Thermo-electric simulation
DOI码：10.1016/j.sse.2011.07.001
发表时间：4077-08-01
摘要：In this paper, the volume-minimized model of phase change memory (PCM) cell with Ge2Sb2Te5 (GST)
material has been established to study the dynamic switching (set-to-reset) characteristic dependence
on the sidewall angle. Joule heating volume, threshold current, dynamic resistance and phase transition
rate of PCM cells by current pulse are all calculated. The results show that the threshold current increases
with decreasing the sidewall angle and is significantly impacted by the feature size and aspect ratio. The
PCM cell of 90 sidewall angle exhibits the smallest Joule heating volume, the highest RESET resistance
and the fastest phase transition property.
发布期刊链接：https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0038110111002577