Xue Kanhao

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基于材料基因工程的新型铁电存储材料设计

铪基铁电材料是当前最适合先进CMOS工艺的铁电材料,相应的 FeFET 铁电晶体管具有存储密度高、非破坏性读出等优势,并在超陡摆幅负电容器件领域展示出了应用前景。然而,铪基铁电材料的正交铁电相并非热力学稳态,实际样品中往往是多相混杂。另外,传统软模理论也难以解释铪基铁电的成因。铪、锆氧化物成为铁电材料的材料基因尚不完全明朗。我们基于材料基因工程的思想,结合大数据与机器学习,对类 Pca21 相铁电候选材料进行筛选并提取铪基铁电的材料基因,同时提供理解纳米尺度二元氧化物铁电材料的全新视角。