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Interface Ferroelectric Transition near the Gap-Opening Temperature in a Single-Unit-Cell FeSe Film Grown on Nb-Doped SrTiO3 Substrate
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第一作者：Cui,Y.-T.
发表刊物：Phys. Rev. Lett. 114, 037002 (2015).
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第一作者：Cui,Y.-T.
发表刊物：Phys. Rev. Lett. 114, 037002 (2015).