韩恺桢

个人信息

Personal information

性别:男

在职信息:在职

所在单位:集成电路学院

学历:研究生(博士)毕业

学位:哲学博士学位

毕业院校:新加坡国立大学

学科:电子科学技术
曾获荣誉:
2024    国家海外高层次(青年)人才计划
2023    VLSI Symposium最佳展示论文
2021    VLSI Symposium最佳学生论文

High Performance Indium–Tin–Oxide Schottky Diodes for Terahertz Band Operation
发布时间:2024-11-22  点击次数:

论文类型:期刊论文
第一作者:Han Kaizhen et. al.
发表刊物:Nano Letters
卷号:24
期号:26
页面范围:7919-7926
发表时间:2024-06-05