华中科技大学主页平台管理系统韩恺桢--中文主页-- Indium-Tin-Oxide Thin-Film Transistors with High Field-Effect Mobility (129.5 cm2/V⋅s) and Low Thermal Budget (150 °C)

韩恺桢

同专业硕导

Personal information

其他

性别：男

在职信息：在职

所在单位：集成电路学院

学历：研究生(博士)毕业

学位：哲学博士学位

毕业院校：新加坡国立大学

学科：电子科学技术

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Indium-Tin-Oxide Thin-Film Transistors with High Field-Effect Mobility (129.5 cm2/V⋅s) and Low Thermal Budget (150 °C)

发布时间：2024-11-27 点击次数：

论文类型：期刊论文
第一作者：Han Kaizhen et. al.
发表刊物：IEEE Electron Device Letters
卷号：44
期号：12
页面范围：1999 - 2002
发表时间：2023-11-02