韩恺桢

个人信息

Personal information

其他    

性别:男

在职信息:在职

所在单位:集成电路学院

学历:研究生(博士)毕业

学位:哲学博士学位

毕业院校:新加坡国立大学

学科:电子科学技术

High Field Temperature-Independent Field-Effect Mobility of Amorphous Indium–Gallium–Zinc Oxide Thin-Film Transistors: Understanding the Importance of Equivalent-Oxide-Thickness Downscaling
发布时间:2024-11-18  点击次数:

论文类型:期刊论文
第一作者:Han Kaizhen et. al.
发表刊物:IEEE Transactions on Electron Devices
卷号:68
期号:1
页面范围:118 - 124
发表时间:2020-11-17