个人信息
Personal information
性别：男
在职信息：在职
所在单位：集成电路学院
学历：研究生(博士)毕业
学位：哲学博士学位
毕业院校：新加坡国立大学
学科：电子科学技术曾获荣誉：
2024 国家海外高层次（青年）人才计划
2023 VLSI Symposium最佳展示论文
2021 VLSI Symposium最佳学生论文
论文类型：期刊论文
第一作者：Han Kaizhen et. al.
发表刊物：IEEE Transactions on Electron Devices
卷号：68
期号：1
页面范围：118 - 124
发表时间：2020-11-17
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Hybrid Design Using Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors and Negative-Capacitance Field-Effect Transistors for Analog Circuit Applications
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First demonstration of complementary FinFETs and tunneling FinFETs co-integrated on a 200 mm GeSnOI substrate: A pathway towards future hybrid Nano-electronics systems