教授 博士生导师 硕士生导师
邮编:430074
通讯/办公地址:湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
邮箱:yuanli1@hust.edu.cn
聚焦新型二维材料体系(如金属硫族化合物、分子晶体、氧化物等)在神经电子应用中的潜力,开展结构构型、能带工程、界面电荷调控与物理机制研究。通过引入各向异性、应变调制、掺杂/缺陷调控等手段,实现材料在突触/神经元行为模拟、光电响应、偏振感知等方向的功能设计,奠定材料层面的理论与实验基础。
围绕类脑器件对可集成性与一致性的要求,发展适用于神经电子系统的大尺寸二维材料与异质结构的可控制备策略。重点攻关界面工程、多层堆叠、空间有序组装和原位生长技术,突破晶圆级尺寸下的材料均匀性、可重复性和CMOS兼容性瓶颈,打造具有量产潜力的二维神经材料制备体系。
面向智能感知与低功耗神经形态计算需求,构建基于二维忆阻材料的“感知-记忆-计算”融合架构。开发具有突触可塑性、脉冲响应、自适应调节能力的忆阻器阵列与神经元类器件,推动视觉注意机制、动态编码、多模态融合等生物启发功能在硬件层的实现,服务于类脑视觉系统、边缘AI芯片与脑机接口等前沿应用。