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A 19.2 mW, >45 dB gain and high-selectivity 94 GHz LNA in 0.13 μm SiGe BiCMOS
点击次数：
论文类型：期刊论文
第一作者：X. J. Bi*, et al
发表刊物：IEEE Microw. Wireless Compon. Lett.
收录刊物：SCI
卷号：23
期号：5
页面范围：261-263
发表时间：2013-05-17
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论文类型：期刊论文
第一作者：X. J. Bi*, et al
发表刊物：IEEE Microw. Wireless Compon. Lett.
收录刊物：SCI
卷号：23
期号：5
页面范围：261-263
发表时间：2013-05-17