个人信息
Personal information
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
在职信息：在职
所在单位：武汉光电国家研究中心
学历：研究生(博士)毕业
学位：博士学位
毕业院校：南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心
学科：物理电子学学术荣誉：
2019 华中学者
曾获荣誉：
2019 中国电子学会优秀博士学位论文指导老师
2018 华中科技大学创新创业优秀指导教师
2018 “创青春”双创杯全国大学生创业大赛“银奖”项目指导教师
2016 入选湖北省双创战略团队创新人才计划
2015 入选武汉市东湖开发区3551人才
2014 获武汉光电国家实验室（筹）“三育人奖”
2013 获得武汉市政府博士资助人才工程
2012 获江西省自然科学三等奖
2011 获江西省首届优秀博士学位论文奖
2010 华中科技大学优秀博士后
其他联系方式
Other contact
· 邮编：
· 通讯/办公地址：
· 邮箱：
个人简介
Personal profile
戴江南，男，1980年09月生，汉族，湖南省衡阳县人，博士研究生学历（师从中国科学院院士 江风益教授），现任 华中科技大学武汉光电国家研究中心 教授、博导（“华中卓越学者计划”入选者）。 学科方向：物理电子学、光学工程 研究方向：第三代半导体紫外光电材料与芯片器件 教学理念：科教融合 教书育人 师生共同进步成长。 团队文化：埋头苦干，与人为善；敢于竞争，善于转化。 近十几年来一直...
教育经历
Education experience
- 2004.9 ~ 2007.7
- 南昌大学 - 半导体材料物理与化学 - 博士学位 - 研究生(博士)毕业 - 导师：江风益院士 （中国科学院）
- 2002.9 ~ 2004.6
- 南昌大学 - 半导体材料物理与化学 - 硕士学位 - 研究生(硕士)毕业 - 导师：江风益 院士（中国科学院）
- 1998.9 ~ 2002.6
- 湘潭师范学院 - 物理学 - 学士学位 - 本科(学士) - （班主任：唐京武 教授）
工作经历
Work experience
- 2019.11-至今
- 华中科技大学 - 武汉光电国家研究中心 - 教授、博士生导师
（入选“华中卓越学者计划”晨星岗；获2020国家自然科学基金委新型冠状病毒疫情防控专项）
- 2017.11-2019.10
- 华中科技大学 - 武汉光电国家研究中心 - 研究员、博士生导师
（获校创新创业优秀指导教师；研制半导体AlGaInN核心材料助力国家海洋一号 C 卫星成功上天）
- 2012.11-2017.10
- 华中科技大学 - 武汉光电国家研究中心 - 副教授、博士生导师
（获批国家重点研发计划课题、国家自然科学基金面上项目等 ）
- 2010.11-2012.10
- 华中科技大学 - 武汉光电国家实验室（筹） - 副研究员、硕士生导师
（获省自然科学三等奖、武汉光电国家实验室“三育人奖”等）
- 2010.3-2012.10
- 华中科技大学 - 武汉光电国家实验室（筹） - 讲师、硕士生导师
（获国家自然科学青年基金项目，人生入职导师：余金中教授、黄德修 教授）
- 2008.1-2010.2
- 华中科技大学 - 武汉光电国家实验室（筹）/光电子科学与工程学院 - 博士后
（合作导师：陈长清 教授，教育部“新世纪优秀人才支持计划”、 湖北省“楚天学者计划”特聘教授、武汉市“城市合伙人”，上市公司华灿光电创始人之一） （获中国博后基金特别资助、一等资助；校优秀博后）
- 2007.6-2007.12
- 中微光电子（潍坊）有限公司 - 芯片器件事业部 - 研发经理
主要负责MOCVD外延生长与器件测试分析等工作。（工作指导人：刘凯博士）
社会兼职
Social affiliations
- 2020.1-至今
- 第十六届全国MOCVD学术会议组织委员会委员
- 2019.1-至今
- 美国国际电气与电子工程师协会会员（IEEE）
- 2018.1-2018.9
- 第十五届全国MOCVD学术会议组织委员会委员
- 2018.1-至今
- 全国材料与器件光电材料专业委员会光电材料专家组专家
- 2017.1-至今
- 中国化工学会化工新材料委员会会员
- 2016.6-2016.12
- 第二十届国际IVC-20 宽禁带半导体材料与器件分会主席
- 2016.3-至今
- 教育部学位中心博士硕士学位论文评审专家
- 2015.1-2015.6
- 国际会议OECC 技术委员会委员
- 2011.1-至今
- 美国光学学会（OSA）会员
- 2012.1-至今
- 国家自然科学基金评审专家
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研究方向
Research focus
团队成员
Research group
· 团队名称：先进半导体材料与器件团队（ASMD）
团队介绍：戴江南博士自2008年01月加入华中科技大学武汉光电国家研究中心（原武汉光电国家实验室（筹））组建团队以来，截止到2019年11月份，团队在半导体深紫外发光材料外延生长（Advance Function Material, 05445, 2019; Crystengcomm, 21, 4072-4078, 2019; Applied Physics Letters, 114, 042101, 2019），芯片设计（ACS Photonics, 6, 2387-2391, 2019; IEEE Electron Device Letter, 2948952, 2019; Optics Express, 27, A1601-A1604, 2019），器件制备（ACS Applied Material Interfaces, 11, 19623-19630, 2019; IEEE Transaction on Electron Devices, 65, 2498-2503，2018）和新结构新机理探索（Nano Energy, 104181, 2019; Optics Letter, 44, 1944-1947, 2019）等方面展开了系列科学研究，已发表中科院JCR一区论文10篇，获批国家级项目12项（其中国家重点基础研究发展计划973项目课题（含子课题）2项（N0.2010CB923204, 2012CB619302）、国家自然科学基金研究重大专项子课题1项（N0.10990103）、国家重点计划研发课题（含子课题）3项（No. 2018YFB0406602, 2016YFB0400901, 2016YFB0400804），面上基金项目4项(No. 61774065, 60976042, 61675079, 61974174)，青年基金项目2项（No. 51002058, 61704062））。研究团队秉承“埋头苦干，与人为善；敢于竞争，善于转化”这一理念，在半导体深紫外发光芯片和器件研究方面取得系列科研成果的同时，也积极参与在武汉光电工业技术研究院、华中科技大学鄂州工业技术研究院、华中科技大学科技园等指导和支持下进行半导体深紫外发光芯片和器件科研成果转化工作。
热烈欢迎具有光学、材料、电子和物理相关背景的学生加入攻读硕士和博士学位，及具有相关背景的博士毕业生加入从事博士后研究。
1.招收专业：光信息科学与技术、光电 信息工程、物理学、电子科学与技术、材料科学或其他相关专业的优秀保送生。
2.科研兴趣浓厚，敢于创新，勤奋刻苦。
团队网页： http://asmd.group/
联系E-MAIL: daijiangnan@hust.edu.cn
热烈欢迎具有光学、材料、电子和物理相关背景的学生加入攻读硕士和博士学位，及具有相关背景的博士毕业生加入从事博士后研究。
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2.科研兴趣浓厚，敢于创新，勤奋刻苦。
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