戴江南，男，1980年09月生，汉族，湖南人，博士研究生学历（师从中国科学院院士 江风益教授），现任华中科技大学武汉光电国家研究中心教授、博导（华中卓越学者），华中科技大学鄂州工业技术研究院院长、首席科学家（国家级科技创新平台）。

学科方向：光学工程、集成电路科学与工程、电子科学与技术、物理电子学

研究方向：超宽禁带半导体材料与芯片领域科学研究工作，涉及材料生长、芯片制造、封装集成等方面。

自2008年加入华中科技大学以来，长期从事超宽禁带半导体材料与芯片领域的研究工作，围绕集成电路领域宽禁带半导体重点战略需求，构建AlN基超宽禁带半导体深紫外固态光源器件“理论-技术-应用”创新链领域的研究平台。相关研究成果以第一作者和通讯作者在Laser & Photonics Reviews，Nano Energy，Advanced Functional Materials，Science Advances,ACS Photonics, ACS Applied Material & Interface, IEEE Electron Device Letters，Applied Physics Letter，Optics Letters，Optics Express等国际高水平期刊上发表SCI论文70余篇，被学术引用3300余次, 参编学术论著1部/章节，获诺奖得主中村修二、天野浩等国际同行高度评价。近5年主持国家重点研发计划课题、国家自然科学基金、国防科技攻关、重大科技成果专项等15项，总经费超5000 万元。

研制的AlN/AlGaN基外延材料已应用于中国航天科工“海洋一号”卫星紫外成像仪，填补了紫外波段的空白。独辟蹊径研制出光电倍增新结构的深紫外光源器件，将电光转换效率突破至21.6%，国际著名半导体行业刊物《CompoundSemiconductor》报道：“电光转换效率创历史新高”；研制的高效深紫外芯片作为杀菌防生化装置的核心元器件首次应用于某部队、中国船舶集团等军工单位；获批国家自然科学基金委“新型冠状病毒（nCoV）溯源、致病及防治的基础研究”专项项目，成果应用于国家重大卫生安全防控，有力支撑了国家“健康中国”发展战略。通过产学研联合攻关，开发高均匀高可靠深紫光源模组，在能源健康行业头部企业实现应用，产生显著的社会经济效益。

秉承“科教融合、教书育人、教学相长”的教学理念，获得中国电子学会优秀博士学位论文指导老师，校创新创业优秀指导教师、创青春”双创杯全国大学生创业大赛“银奖”项目指导教师、“挑战杯”全国大学生课外学术科技作品竞赛获优秀指导教师、首届湖北省博士后创新创业大赛优秀指导教师等荣誉。

此外，团队与美国加州大学圣塔芭芭拉分校工程学院（诺贝尔奖得主中村修二教授）、美国普渡大学、南洋理工大学、沙特阿拉伯阿卜杜拉国王科技大学、日本德岛大学、韩国江原国立大学、北京大学、清华大学、西安电子科技大学、中科院半导体所、台湾交通大学、南京大学、厦门大学、南昌大学、中国科技大学、中科院上海技术物理研究所、河北工业大学、广西大学等国内外相关宽禁带半导体研究机构保持着密切合作关系。