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胡作启
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研究方向
信息存储及感存算一体
基于磁性、相变材料及3D结构特性,构建信息存储、传感单元和阵列,研究存储、传感单元结构及其组成材料的性能和阵列的感存算机理,仿真类脑识别、推理能力以及感知、边缘计算,设计新颖的人工智能(AI)芯片。