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极紫外光刻光源驱动源
目前国际上用于线宽7nm以下芯片制造技术的13.5nm极紫外光刻设备已经工业应用。光刻巨头ASML所采用的高功率CO2激光诱导等离子体产生13.5nm极紫外光源已经被验证为可行和有效的技术方案。我国02专项中的“极紫外光刻关键技术研究”也选定高功率CO2激光诱导等离子体为其极紫外光源产生方案。为满足批量光刻的需求，需要平均功率高达4万瓦，重频50kHz以上，脉宽10-30ns的CO2激光光源诱导等离子体产生极紫外光源。