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新型3D NAND存储器研究
为满足大容量三维闪存（3D NAND）存储器对高性能、高密度、高可靠性的需求，将以国内自主可控工艺条件为支撑，设计制备新型电荷陷阱型堆栈栅结构，利用元素比例与分布调控隧穿势垒和阻挡势垒，利用陷阱调控获得大存储窗口的电荷存储层，以形成新型高-k栅介质为基的大容量3D NAND存储器件；各功能层新介质制备技术和存储阵列集成堆叠技术，重点包括：①堆栈结构的界面工程与能带工程，形成各功能层之间的最佳匹配；②各功能层的淀积、退火及刻蚀工艺，解决新材料刻蚀的侧壁均匀性及过刻蚀等问题，实现新型3D NAND存储阵列工艺开发和样品制备；③研究基于上述新材料和新结构的3D NAND存储器性能表征和可靠性测试方法，利用自动测试设备（ATE）构建高效能的3D NAND测试系统；