刘璐，女，华中科技大学集成电路学院副教授，硕士、博士研究生导师。 2008年毕业于华中科技大学电子科学与技术系，获学士学位； 2013年3月获华中科技大学微电子学与固体电子学博士学位，于华中科技大学光学与电子信息学院留校任教，职称讲师；2017年12月获评副教授；2022年11月华中科技大学成立集成电路学院，工作至今。

主持或参加的国家自然科学基金项目:

1.      国家自然科学基金重大研究计划培育项目，基于负电容效应的高频低功耗异质集成GaAs-OI MOSFET关键技术研究，2023/01-2025/12，主持

2.      国家自然科学基金青年科学基金项目，高速低压长保持力GaAs MOS为基量子点非挥发性存储器研究、2015/01-2017/12，主持

3.      教育部博士点基金新进教师类项目，低压高速势垒可调高k隧穿层电荷陷阱型存储器研究、2014/01-2016/12，主持

4.      科技部国家重点研发计划项目，高迁移率CMOS与中红外光子器件及混合集成技术研究，2019/08-2023/06，参与(单位主持)

5.      国家自然科学基金应急管理项目，晶圆级单晶薄膜智能剥离与转移硅基异质集成技术研究，2019/01-2021/12，参与(单位主持)

6.      国家自然科学基金面上项目，高稳定低功耗陡峭斜率免回滞MoS₂负电容场效应晶体管研究，2019/01-2023/12，参与

7.      国家自然科学基金面上项目，60976091，小尺寸低压高速长保持力电荷陷阱型悬浮栅存储器的研究，2010/01 – 2012/12，参与

  在攻读博士学位期间，便参与了相关国家自然科学基金和香港RGC项目的研究工作，主要从事高k堆栈小尺寸电荷陷阱型SONOS存储器的研究。采用高k材料替代传统的SiO₂和Si₃N₄，对其阻挡层、电荷存储层和隧穿层各功能层从材料、结构及制备工艺等方面进行研究和优化，在高k栅介质的制备、界面特性的刻划、存储器模型的建立、电特性的测量以及栅堆栈结构和介质材料的微观分析等方面积累了较丰富的理论和实践经验。

  延续电荷陷阱型存储器以及高k介质堆栈栅结构研究工作，以高速低压长保持力GaAs MOS为基的量子点型非挥发性存储器为研究目标，在GaAs基底上制备出具有优良存储功能的新型栅堆栈结构，重点研究了量子点的制备技术及最佳隧穿层材料及厚度的确定。并在量子点存储层制备工艺、GaAs 基底表面处理、界面钝化和高 k 介质隧穿层的制备等方面取得了有用的研究成果。目前，关于堆栈栅结构的制备工艺优化、高k界面钝化工艺、GaAs场效应晶体管的相关研究正在继续开展中。

   为满足低功耗器件性能要求，在国家自然科学基金重大研究计划培育项目和面上项目资助下，以高-k介电/铁电介质为基础，从铪基铁电薄膜材料的选取、铁电层与栅介质的堆栈结构、铁电性与负电容场效应晶体管(NCFET)电特性之间的关系、铁电NC效应的稳定性以及亚阈值摆幅与回滞之间的折衷等方面开展了大量研究工作。