研究兴趣：主要面向后摩尔时代需求，研发忆阻器（Memristor）、阻变存储器（Resistive Random Access Memory, RRAM）等新兴半导体器件，研究其物理机制、性能调控及规模集成，开发其非易失性高性能存储（Nonvolatile Memory）、类脑神经形态计算（Brain-Inspired Neuromorphic Computing）、存算一体化/存内计算（In-memory computing）、机器学习加速引擎（ML Accelerator and AI Engine）、存内搜索（In-memory Search）、安全电子（secury primitives）等新兴功能及应用，发展存储与计算融合的非冯·诺依曼计算原理和硬件。

n 学生培养及工作理念：Diligence （勤勉）、Collaboration（合作）、Innovation（创新）

n 招收研究生：每年拟招收工学硕士及工程硕士各1-2名。热烈欢迎具有微电子、材料、物理相关背景的积极、乐观、进取的学生报考。

n 欢迎在以下任一专业方向具有良好基础的学生：半导体物理与器件、微电子器件工艺与表征、数字/模拟电路、机器学习与人工智能、线性代数、矩阵计算等。

n 欢迎能熟练使用Matlab，Python，C++,Spice, Multisim等各类数值计算、电路设计与仿真、编程软件的学生。

n 热烈欢迎学有余力的优秀本科生加入团队参与科研创新。