个人信息
Personal information
教授 博士生导师
所在单位：集成电路学院
学历：研究生(博士)毕业
学位：博士学位
毕业院校：华中科技大学
学科：微电子学与固体电子学曾获荣誉：
2024 华中科技大学青年五四奖章
2022 华为奥林帕斯先锋奖
2020 湖北省技术发明一等奖（排名第2）
2013 湖北省年度“十大科技事件”
2013 湖北省优秀博士学位论文
2014 湖北省优秀学士学位论文指导教师
2015 华中科技大学教师教学竞赛二等奖
2017 华中科技大学光学与电子信息学院“我最喜爱的教师班主任“
2020 华中科技大学光学与电子信息学院突出贡献一等奖
论文类型：期刊论文
第一作者：温晋宇,付雨阳
通讯作者：童浩,李祎
合写作者：缪向水,王浩,马国坤,左文斌,朱启航,杨岭,王伦
发表刊物：IEEE Electron Device Letters
所属单位：华中科技大学
学科门类：工学
一级学科：电子科学与技术
文献类型：J
卷号：44
期号：5
页面范围：853-856
关键字：True random number generators, ovonic threshold switching, memristor, high throughput
DOI码：10.1109/led.2023.3259000
发表时间：4500-05-01
摘要：True random number generators (TRNGs)
based on threshold switching memristors emerge as a building block for secure electronics. However, the throughputs reported in previous studies have a stark gap with the requirements of practical applications (>1 Mb/s). Here, we implement a high-speed TRNG with a GeTex ovonic threshold switching (OTS) memristor. The TRNG throughput reaches 2.22 Mb/s for a single cell, which is 2.2 times faster than the prior state-of-the-art threshold-switchingbased TRNG. In addition, the TRNG endurance of 2 × 109 bits was achieved, and the random bits passed 12 tests in the National Institute of Standards and Technology statistical test suite. Our results demonstrated that the OTS-based TRNG could provide a high–throughput and highly secure solution for edge applications
发布期刊链接：https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/10076428