个人信息
Personal information
教授 博士生导师
所在单位：集成电路学院
学历：研究生(博士)毕业
学位：博士学位
毕业院校：华中科技大学
学科：微电子学与固体电子学曾获荣誉：
2024 华中科技大学青年五四奖章
2022 华为奥林帕斯先锋奖
2020 湖北省技术发明一等奖（排名第2）
2013 湖北省年度“十大科技事件”
2013 湖北省优秀博士学位论文
2014 湖北省优秀学士学位论文指导教师
2015 华中科技大学教师教学竞赛二等奖
2017 华中科技大学光学与电子信息学院“我最喜爱的教师班主任“
2020 华中科技大学光学与电子信息学院突出贡献一等奖
论文类型：期刊论文
第一作者：冯金龙
通讯作者：缪向水,徐明,程晓敏
合写作者：童浩,Lin,Xui,Meng,王校杰,Bryja,Hagen,Lotnyk,Andriy
发表刊物：ACS applied materials & interfaces
所属单位：华中科技大学
学科门类：工学
一级学科：电子科学与技术
文献类型：J
卷号：12
期号：29
页面范围：33397−33407
关键字：GeSb2Te4，Sb2Te3 ，template phase-change memory ，fast crystallization surface state
DOI码：10.1021/acsami.0c07973
发表时间：4401-01-01
摘要：Ge-Sb-Te (GST)-based phase-change memory (PCM) excels in the switching performance but remains insufficient of the operating speed to replace cache memory (the fastest memory in a computer). In this work, a novel approach using Sb2Te3 templates is proposed to boost the crystallization speed of GST by five times faster. This is because such a GST/Sb2Te3 heterostructure changes the crystallizing mode of GST from the nucleation-dominated to the faster growth-dominated one, as confirmed by high-resolution transmission electron microscopy, which captures the interface-induced epitaxial growth of GST on Sb2Te3 templates in devices. Ab initio molecular dynamic simulations reveal that Sb2Te3 templates can render GST sublayers faster crystallization speed because Sb2Te3's "sticky" surface contains lots of unpaired electrons that may attract Ge atoms with less antibonding interactions. Our work not only proposes a template-assisted PCM with fast speed but also uncovers the hidden mechanism of Sb2Te3's sticky surface, which can be used for future material selection.
发布期刊链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsami.0c07973#