个人信息
Personal information
教授 博士生导师
所在单位：集成电路学院
学历：研究生(博士)毕业
学位：工学博士学位
毕业院校：华中科技大学
学科：微电子学与固体电子学曾获荣誉：
2024 华中科技大学青年五四奖章
2022 华为奥林帕斯先锋奖
2020 湖北省技术发明一等奖（排名第2）
2013 湖北省年度“十大科技事件”
2013 湖北省优秀博士学位论文
2014 湖北省优秀学士学位论文指导教师
2015 华中科技大学教师教学竞赛二等奖
2017 华中科技大学光学与电子信息学院“我最喜爱的教师班主任“
2020 华中科技大学光学与电子信息学院突出贡献一等奖
论文类型：期刊论文
第一作者：马平
通讯作者：缪向水
合写作者：孙成军,程晓敏,余念念,徐明,黄婷,童浩
发表刊物：JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C
所属单位：华中科技大学
学科门类：工学
一级学科：电子科学与技术
文献类型：J
卷号：121
期号：7
页面范围：1122-1128
关键字：Binding-energy Shifts;Phase-change;Carbon Nanotube;Crystallization;Ge2Sb2Te5;States;Edge;Coordination;Media;Gap
DOI码：10.1021/acs.jpcc.6b09841
发表时间：4275-04-01
摘要：Phase-change materials, the highly promising candidate for nonvolatile data recording, present a different phase-change property when film thickness shrinks to very deep submicron scale. The local structure of amorphous GeTe ultrathin films, which contributes to the characteristics of phase change, is examined using X-ray absorption measurements. Ge atoms are found to be low-coordinated when the film thickness decreases. Ge atoms are linked to neighbor atoms by covalent bond, and the weaker Ge-Te bonds are more easily broken, which suggests that Ge atoms are located in the defective Ge2Te3 local arrangement. The mixture of se(3)/sp(2) hybridization and 3-coordinated Ge found in ab initio molecular dynamics simulations also supports this local motif. The exponential rise of crystallization temperatures of ultrathin films with decreasing film thickness, which is a vital parameter for phase change process, can be well explained by the proposed defective GeTe local arrangement.
发布期刊链接：https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/acs.jpcc.6b09841