个人信息
Personal information
教授 博士生导师
所在单位：集成电路学院
学历：研究生(博士)毕业
学位：工学博士学位
毕业院校：华中科技大学
学科：微电子学与固体电子学曾获荣誉：
2024 华中科技大学青年五四奖章
2022 华为奥林帕斯先锋奖
2020 湖北省技术发明一等奖（排名第2）
2013 湖北省年度“十大科技事件”
2013 湖北省优秀博士学位论文
2014 湖北省优秀学士学位论文指导教师
2015 华中科技大学教师教学竞赛二等奖
2017 华中科技大学光学与电子信息学院“我最喜爱的教师班主任“
2020 华中科技大学光学与电子信息学院突出贡献一等奖
论文类型：期刊论文
第一作者：钱航
通讯作者：童浩
合写作者：缪向水,程晓敏,薛堪豪,季宏凯,颜柏寒,周凌珺,童浩
发表刊物：Journal of Physics D Applied Physics
所属单位：华中科技大学
学科门类：工学
一级学科：电子科学与技术
文献类型：J
卷号：49
期号：49
页面范围：495302
关键字：phase change memory；work function；superlattice-like
DOI码：10.1088/0022-3727/49/49/495302
发表时间：4271-08-01
摘要：We utilized a GeTe/Sb2Te3 superlattice-like structure (SLL) to obtain a lower crystalline work function (WF) than that for GeTe. Electrostatic force microscopy measurements demonstrated the difference in crystalline WF. Due to the lower crystalline WF, the heterojunction diodes based on the SLL obtained a better crystalline electrical performance. We preformed numerical simulation to confirm that the higher number of Te dangling bonds caused by the multilayer interface and grain boundaries in the SLL is the main reason for the decrease in WF. X-ray photoelectron spectroscopy analysis indicated that more Te-O bonds formed in SLL than GeTe after atmospheric annealing. While it is easy for the Te dangling bonds to combine dipoles, more Te dangling bonds exist in SLLs.
发布期刊链接：https://iopscience.iop.org/article/10.1088/0022-3727/49/49/495302