个人信息
Personal information
教授 博士生导师
所在单位：集成电路学院
学历：研究生(博士)毕业
学位：工学博士学位
毕业院校：华中科技大学
学科：微电子学与固体电子学曾获荣誉：
2024 华中科技大学青年五四奖章
2022 华为奥林帕斯先锋奖
2020 湖北省技术发明一等奖（排名第2）
2013 湖北省年度“十大科技事件”
2013 湖北省优秀博士学位论文
2014 湖北省优秀学士学位论文指导教师
2015 华中科技大学教师教学竞赛二等奖
2017 华中科技大学光学与电子信息学院“我最喜爱的教师班主任“
2020 华中科技大学光学与电子信息学院突出贡献一等奖
论文类型：期刊论文
第一作者：童非
通讯作者：程晓敏
合写作者：Liu,J.D.
发表刊物：Thin Solid Films
所属单位：华中科技大学，Hong Kong Polytechnic University
学科门类：工学
一级学科：电子科学与技术
文献类型：J
关键字：Pulsed laser deposition Chalcogenide Lattice strain Transmission electron microscopy
DOI码：10.1016/j.tsf.2014.08.006
发表时间：4160-05-01
摘要：We report that the lattice strain induced phase selection and epitaxial relaxation in crystalline GeTe thin films by pulsed laser deposition. The single-crystal substrates ofMgO and BaF2 are designed to match the lattice of lowtemperature α-GeTe phase and high-temperature β-GeTe phase, respectively. The structures of deposited GeTe films show lattice-match dependence rather than temperature dependence. Raman analysis indicates that the α-GeTe to β-GeTe ferroelectric phase transition accompanies an increase of local six-coordinated Ge atoms, which is analogous to the phase transition from amorphous to crystalline for memory application.
发布期刊链接：https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609014008025