个人信息
Personal information
教授 博士生导师
所在单位：集成电路学院
学历：研究生(博士)毕业
学位：工学博士学位
毕业院校：华中科技大学
学科：微电子学与固体电子学曾获荣誉：
2024 华中科技大学青年五四奖章
2022 华为奥林帕斯先锋奖
2020 湖北省技术发明一等奖（排名第2）
2013 湖北省年度“十大科技事件”
2013 湖北省优秀博士学位论文
2014 湖北省优秀学士学位论文指导教师
2015 华中科技大学教师教学竞赛二等奖
2017 华中科技大学光学与电子信息学院“我最喜爱的教师班主任“
2020 华中科技大学光学与电子信息学院突出贡献一等奖
论文类型：期刊论文
第一作者：余念念
通讯作者：缪向水
合写作者：缪向水,Elbashir,A.,Zhou,J.,童浩
发表刊物：Applied Physics Letters
所属单位：华中科技大学，Alneelain University
学科门类：工学
一级学科：电子科学与技术
文献类型：J
DOI码：10.1063/1.4818132
发表时间：4147-12-01
摘要：We demonstrate the drastic effect of film thickness on the local order of Ge sites in amorphous GeTe ultrathin films by Surface Enhanced Raman Scattering study. The relative intensity of the two prominent peaks around 125cm1 and 160 cm1 changes greatly as a function of the film thickness from 100nm to 3 nm. We suggest that this change originates from the variation of the fraction of Ge atoms in tetrahedral- and defective octahedral-like sites. Ab initio Molecular Dynamics simulations show that more Ge atoms in ultrathin films are tetrahedrally coordinated. The result is consistent with the experimental observation of Raman spectroscopy
发布期刊链接：https://pubs.aip.org/aip/apl/article/103/6/061910/237022/Local-order-of-Ge-atoms-in-amorphous-GeTe