个人信息
Personal information
教授 博士生导师
所在单位：集成电路学院
学历：研究生(博士)毕业
学位：工学博士学位
毕业院校：华中科技大学
学科：微电子学与固体电子学曾获荣誉：
2024 华中科技大学青年五四奖章
2022 华为奥林帕斯先锋奖
2020 湖北省技术发明一等奖（排名第2）
2013 湖北省年度“十大科技事件”
2013 湖北省优秀博士学位论文
2014 湖北省优秀学士学位论文指导教师
2015 华中科技大学教师教学竞赛二等奖
2017 华中科技大学光学与电子信息学院“我最喜爱的教师班主任“
2020 华中科技大学光学与电子信息学院突出贡献一等奖
论文类型：期刊论文
第一作者：Long,Pengyu
通讯作者：缪向水
合写作者：童浩
发表刊物：Applied Physics Express
所属单位：华中科技大学
学科门类：工学
一级学科：电子科学与技术
文献类型：J
卷号：5
期号：3
页面范围：031201
DOI码：10.1143/APEX.5.031201
发表时间：4097-06-01
摘要：Based on the Parlinsk–Li–Kawasoe method and density function theory, the phonon properties of some phase change memory materials are
calculated. Thermal conductivities are acquired from our calculation, and they are in reasonable agreement with our experimental measurements.
Phonon dispersion curve, mismatch between phonon density of states (DOS), partial density of states (PDOS) at interfaces, and thermal
conductivities are studied. The results show that the low phonon group velocity and the thermal resistance at interfaces result in the low thermal
conductivity of the GeTe/Sb2Te3 superlattice-like material, making it the best choice for phase change memory
发布期刊链接：https://www.researchgate.net/publication/258591797_Phonon_Properties_and_Low_Thermal_Conductivity_of_Phase_Change_Material_with_Superlattice-Like_Structure