个人信息
Personal information
教授 博士生导师
所在单位：集成电路学院
学历：研究生(博士)毕业
学位：工学博士学位
毕业院校：华中科技大学
学科：微电子学与固体电子学曾获荣誉：
2024 华中科技大学青年五四奖章
2022 华为奥林帕斯先锋奖
2020 湖北省技术发明一等奖（排名第2）
2013 湖北省年度“十大科技事件”
2013 湖北省优秀博士学位论文
2014 湖北省优秀学士学位论文指导教师
2015 华中科技大学教师教学竞赛二等奖
2017 华中科技大学光学与电子信息学院“我最喜爱的教师班主任“
2020 华中科技大学光学与电子信息学院突出贡献一等奖
论文类型：会议
第一作者：王嘉慧
通讯作者：缪向水
合写作者：Qu,L.W.,Chen,Y.,Long,X.M.,Zhang,L.,Sun,J.J.,Huang,D.Q.,童飞,Zhou,W.L.,周娇
发表刊物：Solid-State Electronics
所属单位：华中科技大学
学科门类：工学
一级学科：电子科学与技术
文献类型：C
卷号：81
页面范围：157-162
关键字：High speed phase change memory
Cell structure
Super-lattice material
Periphery circuit
Testing
DOI码：10.1016/j.sse.2012.12.011
发表时间：4133-03-01
摘要：A high SET/RESET speed phase change memory cell with a NMOS selector is achieved by optimizing cell
structure, material, programming circuit and testing method. An asymmetric T-shape cell structure
increases the current density in the programmable region and reduces thermal diffusion in the cell.
Super-lattice phase change material has a lower thermal conductivity. The circuit has a fast response
and reduces the falling time of RESET pulse to 0.9 ns which enables a fast phase change operation of
the memory cell. The testing system has good signal integrity and transmits the undistorted ultrafast programming enable signal to I/O ports of the chip. The optimized SET time is 50 ns and RESET time is 2 ns.
发布期刊链接：https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0038110112003759?via%3Dihub