华中科技大学主页平台管理系统 Liangcheng Tu--英文主页-- [4]. 发明名称：一种深硅刻蚀方法；发明人：涂良成、伍文杰、范继、刘金全、罗俊；申请号/专利号：ZL201410140457.2，申请日：2014-04-09，授权公告日：2016-01-20

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[4]. 发明名称：一种深硅刻蚀方法；发明人：涂良成、伍文杰、范继、刘金全、罗俊；申请号/专利号：ZL201410140457.2，申请日：2014-04-09，授权公告日：2016-01-20

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[5]. 发明名称：一种在SOI 硅片上制备微机械悬空结构的方法；发明人：张文婷、刘金全、涂良成；申请号/专利号：ZL201410340475.5，申请日：2014-07-17，授权公告日：2016-02-03
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[3]. 发明名称：基于硅片刻穿的体硅加工工艺；发明人：涂良成、刘金全、范继、伍文杰、罗俊；申请号/专利号：ZL201410141817.0，申请日：2014-04-09，授权公告日：2015-12-02