余国义

个人信息Personal Information

硕士生导师  

在职信息:在职

所在单位:集成电路学院

学历:研究生(博士)毕业

学位:工学博士学位

毕业院校:华中科技大学

学科:微电子学与固体电子学
电路与系统

专利

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一种低功耗宽电压范围的超低压基准源电路

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专利说明:在包括能量采集、自主供能、可穿戴/植入、智能传感器、边缘计算、智能物联网等电子设备中的电源系统中,为提高电子设备系统的续航能力,可采用环境能量采集系统(例如太阳能、风能、热能、电磁能和生物动能)进行供电。这类应用通常具有能量受限的特点,因此对此类电子设备系统中的集成电路芯片提出了低功耗的要求。对低功耗集成电路芯片 而言,电源管理电路的低功耗设计至关重要。电压基准源是电源管理电路中非常重要的组成部分之一,其功能是输出一个稳定的电压基准信号,这一基准信号要求与电源电压、温度及工艺的变化无关。

专利类型:发明

申请号:202110325778.X

申请日期:2021-03-26

公开日期:2021-03-26

授权日期:2022-03-16