个人信息
Personal information
性别：男
在职信息：在职
所在单位：集成电路学院
学历：研究生(博士)毕业
学位：哲学博士学位
毕业院校：新加坡国立大学
学科：电子科学技术曾获荣誉：
2024 国家海外高层次（青年）人才计划
2023 VLSI Symposium最佳展示论文
2021 VLSI Symposium最佳学生论文
ITO Schottky Diode with Record fT Beyond 400 GHz: Exploring Thickness Dependent Film Property and Novel Heterogeneous Design
论文类型：会议论文
第一作者：Han Kaizhen et. al.
发表刊物：IEEE International Electron Devices Meeting
页面范围：22.7.1 - 22.7.4
发表时间：2022-12-03