韩恺桢
个人信息
Personal information
其他
性别:男
在职信息:在职
所在单位:集成电路学院
学历:研究生(博士)毕业
学位:哲学博士学位
毕业院校:新加坡国立大学
学科:电子科学技术
论文类型:期刊论文
第一作者:Han Kaizhen et. al.
发表刊物:IEEE Transactions on Electron Devices
卷号:68
期号:12
页面范围:6610 - 6616
发表时间:2021-09-30
-
上一条:
ITO Schottky Diode with Record fT Beyond 400 GHz: Exploring Thickness Dependent Film Property and Novel Heterogeneous Design
-
下一条:
First Demonstration of Oxide Semiconductor Nanowire Transistors: a Novel Digital Etch Technique, IGZO Channel, Nanowire Width Down to ~20 nm, and Ion Exceeding 1300 µA/µm