个人信息
Personal information
性别：男
在职信息：在职
所在单位：集成电路学院
学历：研究生(博士)毕业
学位：哲学博士学位
毕业院校：新加坡国立大学
学科：电子科学技术曾获荣誉：
2024 国家海外高层次（青年）人才计划
2023 VLSI Symposium最佳展示论文
2021 VLSI Symposium最佳学生论文
First Demonstration of Oxide Semiconductor Nanowire Transistors: a Novel Digital Etch Technique, IGZO Channel, Nanowire Width Down to ~20 nm, and Ion Exceeding 1300 µA/µm
论文类型：会议论文
第一作者：Han Kaizhen et. al.
发表刊物：IEEE Symposium on VLSI Technology
页面范围：T10.1.1 - T10.1.2
发表时间：2021-08-11