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专利说明：本发明提供了一种基于转置DRAM单元的存内计算电路和装置，其目的在于利用DRAM单元内晶体管的对称性，通过对DRAM单元读出端的选择实现阵列内的原位矩阵转置，从而构建能够支持权重复用的片上训练的存内计算电路和装置，由此解决现有DRAM存储器电路无法支持权重复用的片上训练导致边缘设备资源耗损高的技术问题。

申请号：2023103702240

申请日期：2023-04-07