所属单位：华中科技大学
专利说明：本发明公开了一种通过施加低电平脉冲实现微纳尺寸GST相变材料非晶化率连续变化的控制方法,包括控制非晶化率连续单调增大和连续单调减小的操作,通过利用两个或两个以上的连续脉冲的幅值、宽度和间隔等三个参量综合自适应变化精确控制焦耳热产生,继而实现GST相变材料晶化率的连续变化,具体包括步骤：对相变存储单元施加具有一定参量的两个或两个以上的连续脉冲；在连续脉冲的作用下,相变材料获得一定的热量,使部分相变材料发生晶化或者非晶化；对上述连续脉冲的幅值、宽度和间隔进行调节,实现连续单调变化的非晶化率。本发明能够提高对相
专利类型：发明
申请号：CN201310698161.8
申请日期：2013-12-18
公开日期：2014-04-09