徐静平

个人信息

Personal information

教授     博士生导师     硕士生导师

性别:男

在职信息:在职

所在单位:集成电路学院

学历:研究生(博士)毕业

学位:工学博士学位

毕业院校:华中科技大学(Huazhong University of Sci. and Tech.)

学科:微电子学与固体电子学
曾获荣誉:
2019    湖北省自然科学奖三等奖
2014    Nature Index: 2014 China: 对学校自然指数的突出贡献

Improved Electrical Properties of Top-Gate MoS2 Transistor with NH3-Plasma Treated HfO2 as Gate Dielectric
发布时间:2021-05-21  点击次数:

论文类型:期刊论文
论文编号:5
第一作者:X. Zhao
通讯作者:L. Liu
合写作者:J. P. Xu#,Z. Li
发表刊物:IEEE Electron Device Lett.
收录刊物:SCI
所属单位:华中科技大学
刊物所在地:美国
学科门类:工学
一级学科:电子科学与技术
项目来源:国家自然科学基金
文献类型:J
卷号:41
期号:9
页面范围:1364-1367
发表时间:2020-09-05
教研室:光学与电子信息学院