论文成果
Comparative investigation on NH3-plasma treating different surfaces of stack-gate dielectric Ge MOS capacitors
发布时间：2021-05-21 点击次数：
论文类型：期刊论文
论文编号：10
第一作者：Zhou L
通讯作者：Xu J P*,Li C X
合写作者：Liu L
发表刊物：Applied Physics Express
收录刊物：SCI
所属单位：华中科技大学
刊物所在地：日本
学科门类：工学
一级学科：电子科学与技术
项目来源：国家自然科学基金
文献类型：J
卷号：13
页面范围：024001
发表时间：2020-05-08
教研室：光学与电子信息学院