论文成果
Improved electrical performance of multilayer MoS2 transistor by incorporating Al into host HfO2 as gate dielectric
发布时间：2021-05-21 点击次数：
论文类型：期刊论文
论文编号：14
第一作者：Xinyuan Zhao
通讯作者：Jingping Xu*,Wing-Man Tang
合写作者：Lu Liu,Pui-To Lai
发表刊物：Applied Physics Express
收录刊物：SCI
所属单位：华中科技大学
刊物所在地：日本
学科门类：工学
一级学科：电子科学与技术
项目来源：国家自然科学基金
文献类型：J
卷号：12
期号：6
页面范围：64005
发表时间：2019-06-05
教研室：光学与电子信息学院