华中科技大学主页平台管理系统涂良成--中文主页-- [3]. 发明名称：基于硅片刻穿的体硅加工工艺；发明人：涂良成、刘金全、范继、伍文杰、罗俊；申请号/专利号：ZL201410141817.0，申请日：2014-04-09，授权公告日：2015-12-02

涂良成

同专业博导同专业硕导

个人信息

Personal information

教授博士生导师硕士生导师

性别：男

在职信息：在职

所在单位：物理学院

学历：研究生(博士)毕业

学位：理学博士学位

毕业院校：华中科技大学

学科：无线电物理
精密测量物理

专利

中文主页 - 科学研究 - 专利

[3]. 发明名称：基于硅片刻穿的体硅加工工艺；发明人：涂良成、刘金全、范继、伍文杰、罗俊；申请号/专利号：ZL201410141817.0，申请日：2014-04-09，授权公告日：2015-12-02

发布时间：2019-03-16 点击次数：