个人信息
Personal information
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
在职信息：在职
所在单位：物理学院
学历：研究生(博士)毕业
学位：理学博士学位
毕业院校：华中科技大学
学科：无线电物理精密测量物理
- [1] [10]. 发明名称：一种三分量重力仪探头及井中重力仪系统（实用新型），发明人：刘骅锋，涂良成，王秋，胡宸源，范继，申请号：ZL201721699764.X，申请日： 2017-12-08，授权公告日：2018-06-12，授权公告号：CN 207488514U.
- [2] [9]. 发明名称： 一种MEMS重力仪，发明人： 涂良成，唐世豪，刘金全，范继，申请号：ZL 201710461918.X，申请日： 2017-06-19，授权公告日：2019-02-01，授权公告号：CN 107092038 B.
- [3] [8]. 发明名称： 一种力平衡式传感器标度因子的调节方法，发明人： 涂良成，黄祥青，范继，刘金全，申请号：ZL201611163659.4，申请日： 2016-12-16，授权公告日：2018-09-25，授权公告号：CN106646646 B.
- [4] [7]. 发明名称： 一种基于位移差分的MEMS重力梯度仪，发明人： 涂良成，唐世豪，范继，刘金全，申请号：201610003329.2，申请日： 2016-01-05，授权公告日：2017-12-08.
- [5] [6]. 发明名称：微型皮拉尼计与体硅器件集成加工的方法；发明人：范继、涂良成、刘金全、王超；申请号/专利号：ZL201410464700.6，申请日：2014-09-12，授权公告日：2016-04-20.
- [6] [5]. 发明名称：一种在SOI 硅片上制备微机械悬空结构的方法；发明人：张文婷、刘金全、涂良成；申请号/专利号：ZL201410340475.5，申请日：2014-07-17，授权公告日：2016-02-03.
- [7] [4]. 发明名称：一种深硅刻蚀方法；发明人：涂良成、伍文杰、范继、刘金全、罗俊；申请号/专利号：ZL201410140457.2，申请日：2014-04-09，授权公告日：2016-01-20.
- [8] [3]. 发明名称：基于硅片刻穿的体硅加工工艺；发明人：涂良成、刘金全、范继、伍文杰、罗俊；申请号/专利号：ZL201410141817.0，申请日：2014-04-09，授权公告日：2015-12-02.
- [9] [2]. 发明名称：重力梯度测量系统及其测量方法；发明人：罗俊、涂良成；申请号/专利号：ZL201110429496.0，申请日：2011-12-19，授权公告日：2014-07-09.
- [10] [1]. 发明名称：一种微牛顿量级推进器推力测量装置；（GF专利），发明人：涂良成、杨元侠、罗俊；申请号/专利号：ZL201110011446.0，申请日：2011-5-31，授权日：2014-05-21.
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