华中科技大学主页平台管理系统涂良成--中文主页-- [4]. 发明名称：一种深硅刻蚀方法；发明人：涂良成、伍文杰、范继、刘金全、罗俊；申请号/专利号：ZL201410140457.2，申请日：2014-04-09，授权公告日：2016-01-20

涂良成

同专业博导同专业硕导

个人信息

Personal information

教授博士生导师硕士生导师

性别：男

在职信息：在职

所在单位：物理学院

学历：研究生(博士)毕业

学位：理学博士学位

毕业院校：华中科技大学

学科：无线电物理
精密测量物理

专利

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[4]. 发明名称：一种深硅刻蚀方法；发明人：涂良成、伍文杰、范继、刘金全、罗俊；申请号/专利号：ZL201410140457.2，申请日：2014-04-09，授权公告日：2016-01-20

发布时间：2019-03-16 点击次数：