Etch and passivation for high aspect ratio features
发布时间:2022-03-22
点击次数:
- 申请专利人:
- Khan,H.,Anisul,Gani,Nicolas,Kim,Won,Tae,Chen,Rong
- 发明设计人:
- 华中科技大学
- 专利类型:
- PCT或外国申请
- 授权号:
- US 11/749,957
- 发明人数:
- 4
- 授权日期:
- 2007-05-17
- 第一作者:
- 陈蓉,陈蓉