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Etch and passivation for high aspect ratio features

发布时间:2022-03-22
点击次数:
申请专利人:
Khan,H.,Anisul,Gani,Nicolas,Kim,Won,Tae,Chen,Rong
发明设计人:
华中科技大学
专利类型:
PCT或外国申请
授权号:
US 11/749,957
发明人数:
4
授权日期:
2007-05-17
第一作者:
陈蓉,陈蓉

陈蓉

教授 , 博士生导师 , 硕士生导师