EN
首页
科学研究
研究领域
论文成果
专利
著作成果
科研项目
教学研究
教学资源
授课信息
教学成果
获奖信息
招生信息
学生信息
我的相册
教师博客
EN
首页
科学研究
研究领域
论文成果
专利
著作成果
科研项目
教学研究
教学资源
授课信息
教学成果
获奖信息
招生信息
学生信息
我的相册
教师博客
专利
当前位置:
中文主页
-
科学研究
-
专利
Etch and passivation for high aspect ratio features
发布时间:2022-03-22
点击次数:
发明设计人:
Tae Won Kim,Nicolas Gani,Anisul H. Khan
专利类型:
PCT或外国申请
授权号:
US 11/749,957
发明人数:
4
授权日期:
2007-05-17
第一作者:
Rong Chen
上一条:
Atomic Layer Deposition Device for Massively coating Micro-nano particles
下一条:
一种基于压电传感的微振动检测器
陈蓉
人气:
教授 , 博士生导师 , 硕士生导师
同专业硕导
同专业博导