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个人简介Personal Profile
王兴晟，华中科技大学集成电路学院教授、武汉光电国家研究中心双聘教授。2004年在北京工商大学获得学士学位，北京市优秀本科毕业生；2007年1月于清华大学数学科学系获得理学硕士学位，清华大学优秀硕士毕业生；2010年7月获英国格拉斯哥大学博士学位（导师Asen Asenov教授, RSE院士, IEEE会士），获英国ORSAS奖。博士毕业后就职于英国格拉斯哥大学，任副研究员；2016年5月至2018年2月就职于Synopsys(新思科技)，任高级工程师(永职)。2017年获批湖北省海外高层次人才计划。2018年2月回国，任华中科技大学教授。
主要从事新型存储器与存算一体技术、设计与工艺协同优化（DTCO）设计方法学等方面研究。早期提出并长期深入研究先进工艺DTCO EDA方法，在基于随机涨落的设计工艺协同优化方法和EDA领域做出了多个原创性工作，前期成果完整转化成新思科技DTCO工具链；在新型纳米器件建模与DTCO方法等方面，结合设计流片，做出了一系列新工作。在存算一体方面开展了深入扎实富有成果的研究，从原理层面揭示氧化物忆阻器稳定多态调控的基本规律，提出氧空位逐层导通模型。提出类超晶格阻变层忆阻器设计思想并成功制备具有优秀突触特性的HfOx/AlOy类超晶格忆阻器，并开发其后端集成技术，经三代十余次8英寸全晶圆流片，良率大于96%。设计可重构深度流水线存算一体PE核，基于国产CMOS工艺，成功实现Mb级芯片设计流片；提出并验证新型V/R-R存内逻辑完备体系、脉动式存算新架构。
在英国，重点参与主持了欧洲英国科研项目6项，总经费550多万英镑。回国后，作为负责人主持国家自然科学基金“叶企孙”科学基金重点支持项目、面上项目、173领域基金、重点研发计划项目子课题、湖北省科技重大专项子课题、武汉市重大专项子课题、横向项目4项；重点参与重点研发计划项目（第二负责人）、国家自然科学基金应急管理项目等。在Adv. Sci. 、IEEE EDL、IEEE TED、APL、SCIENCE CHINA等微电子领域著名期刊和DAC、IEDM、VLSI等国际知名会议上发表论文120余篇，包括两个IEEE TED封面论文，并著有2个专著章节。其中2011年发表的IEDM论文FWCI指数大于20，领域内顶尖1%论文。申请专利数十项，获授权中国发明专利超20项、美国专利2项。作为方向主编和特邀主编，重点参与撰写国内首部《EDA技术白皮书》。指导组内研究生获得中国研究生创“芯”大赛全国决赛一等奖1项（并获“优秀指导教师”）、二等奖1项、专项二等奖3项、三等奖数项；第六届ICET青年科学家奖，第二届Nature Conference-Neuromorphic Computing最佳海报奖。指导本科生多次获得校级优秀毕设。
湖北省百人计划入选者，华中卓越学者；国家重点研发计划项目会评专家，教育部评审专家，国家自然科学基金委评审专家；英国ORSAS奖获得者，2022年度华为奥林帕斯先锋奖获得者；IEEE高级会员、CAAI高级会员、CCF高级会员；IEEE ICTA、IEEE ISEDA分会主席等。