王兴晟，华中科技大学集成电路学院教授、武汉光电国家研究中心双聘教授。学院EDA研究中心负责人。重点类基金获得者，入选国家网信优秀人才计划、湖北省百人计划。2004年在北京工商大学获得学士学位，北京市优秀本科毕业生，获得首届国家奖学金；2007年1月于清华大学数学科学系获得理学硕士学位，清华大学优秀硕士毕业生；2010年7月获英国格拉斯哥大学博士学位（导师Asen Asenov, 詹姆斯.瓦特首席教授, RSE院士, IEEE会士），获英国ORSAS奖。博士毕业后就职于英国格拉斯哥大学，任副研究员；2016年5月至2018年2月就职于Synopsys(新思科技)，任终身高级工程师；2018年2月回国，任华中科技大学教授。

      主要从事设计工艺协同优化（DTCO）方法及EDA、新型存算一体芯片技术等方面研究。（1）长期深入研究先进工艺TCAD及紧凑模型，在基于随机涨落的DTCO方法和EDA工具做出了多个原创性工作，前期成果完整转化成新思科技DTCO工具链；回国后在新型TCAD、紧凑模型智能提取、智能化DTCO方法等方面做出了一系列新工作。（2）在存算一体方面开展了深入的协同设计优化研究，从原理层面揭示氧化物忆阻器稳定多态调控的基本规律，提出氧空位逐层导通模型。提出类超晶格阻变层忆阻器设计思想并成功制备具有优秀突触特性的HfOx/AlOy类超晶格忆阻器，并开发其后端集成技术，经三代十余次8英寸全晶圆流片，良率大于96%。设计可重构深度流水线存算一体PE核，基于国产CMOS工艺，成功实现Mb级芯片设计流片；提出并验证新型V/R-R存内逻辑完备体系、脉动式存算新架构。同时基于芯片设计研制的探索实践，形成了忆阻器存算一体芯片的协同设计方法及对应EDA工具原型。

     作为负责人主持国家自科基金“叶企孙”科学基金重点支持项目、面上项目、国家重点研发计划课题、**3领域基金、国家xx项目任务（千万级）、重点研发计划项目子课题、湖北省科技重大专项子课题、武汉市联合实验室项目、武汉市重大专项子课题、横向项目等共10余项；主持推进重点研发计划项目（第二负责人），重点参与国家自然科学基金应急管理项目等。在Adv. Sci. 、IEEE EDL、IEEE TED、APL、SCIENCE CHINA等微电子领域权威期刊和DAC、ICCAD、IEDM、VLSI、IRPS等国际知名学术会议上发表论文130余篇。其中2011年发表的IEDM论文FWCI指数大于20，领域内顶尖1%论文。授权中美发明专利40多项。国内首部《EDA技术白皮书》方向主编。指导组内研究生获得中国研究生创“芯”大赛全国决赛一等奖2项（“优秀指导教师奖”2024，2025）、二等奖1项(2023)、专项二等奖3项、三等奖数项；指导本科生多次获得校级优秀毕设。

      国家重点研发计划项目会评专家，教育部评审专家，国家自然科学基金委函评会评专家；英国ORSAS奖获得者，2022年度华为奥林帕斯先锋奖获得者；IEEE/CAAI/CCF高级会员；IEEE ICTA/IEEE ISEDA分委会主席；EDA² Standard Committee Chair。

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