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个人简介Personal Profile
王兴晟，华中科技大学集成电路学院教授、武汉光电国家研究中心双聘教授。学院EDA研究中心负责人。入选国家网信优秀人才计划、湖北省百人计划、光谷产业教授。获得日内瓦国际发明展“评审团特别嘉许金奖”、华为“奥林帕斯先锋奖”、英国ORSAS奖。
2004年在北京工商大学获得学士学位，北京市优秀本科毕业生，获得首届国家奖学金；2007年1月于清华大学数学科学系获得理学硕士学位，清华大学优秀硕士毕业生；2010年7月获英国格拉斯哥大学博士学位（导师Asen Asenov, 詹姆斯.瓦特首席教授, RSE院士, IEEE会士）。博士毕业后就职于英国格拉斯哥大学，任副研究员；2016年5月至2018年2月就职于新思科技（Synopsys），任终身高级工程师；2018年2月回国，任华中科技大学教授。
主要从事设计工艺协同优化（DTCO）方法及EDA、新型存算一体芯片技术等方面研究。（1）长期深入研究先进工艺TCAD及紧凑模型，在基于随机涨落的DTCO方法和EDA工具做出了多个原创性工作，前期成果完整转化成新思科技DTCO工具链；回国后在新型TCAD、紧凑模型智能提取、智能化DTCO方法等方面做出了一系列新工作。（2）在存算一体方面开展了深入的协同设计优化研究，从原理层面揭示氧化物忆阻器稳定多态调控的基本规律，提出并制备具有优秀突触特性的HfOx/AlOy类超晶格忆阻器，并开发其CMOS后端集成技术，经三代十余次8英寸全晶圆流片，良率大于96%。设计可重构深度流水线存算一体PE核，基于国产CMOS工艺成功实现Mb级芯片设计流片；提出并验证多重新型V/R-R存内逻辑完备体系，提高逻辑执行效率；提出并验证高灵活性和高吞吐量的岛式脉动阵列存算新架构，并提出位融合技术有效控制器件偏差影响降低功耗。同时基于芯片设计研制的探索实践，形成了忆阻器存算一体芯片的协同设计方法及对应EDA工具原型。
主持国家自科基金“叶企孙”科学基金重点支持项目、面上项目、国家重点研发计划课题、**3领域基金、国家xx项目任务（千万级以上）、重点研发计划项目子课题、湖北省科技重大专项子课题、武汉市联合实验室项目、武汉市重大专项子课题、横向项目等共10余项；主持推进重点研发计划项目（第二负责人），重点参与国家自然科学基金应急管理项目等。在Adv. Sci. 、IEEE EDL、IEEE TED、APL、SCIENCE CHINA等微电子领域权威期刊和DAC、ICCAD、IEDM、VLSI、IRPS等国际知名学术会议上发表论文140余篇，其中2011年发表的IEDM论文FWCI指数>20。获授权中美发明专利50多项。国内首部《EDA技术白皮书》方向主编。指导组内研究生获得中国研究生创“芯”大赛全国决赛一等奖2项（“优秀指导教师奖”2024，2025）、二等奖1项(2023)、专项二等奖3项、三等奖数项；指导本科生多次获得校级优秀毕设。
担任国家重点研发计划项目会评专家，国家自然科学基金委函评会评专家，教育部评审专家；担任IEEE/CAAI/CCF高级会员，IEEE ICTA/IEEE ISEDA分委会主席，产学研组织EDA2 技术委员、Standard Committee Chair。
组内科研资源充足，诚聘研究人员，欢迎联系申请博士后及以上岗位。