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个人简介Personal Profile
王兴晟，华中科技大学集成电路学院教授、武汉光电国家研究中心双聘教授。学院EDA研究中心负责人。入选国家网信优秀人才计划、湖北省百人计划、光谷产业教授。获得日内瓦国际发明展评审团特别嘉许金奖、华为奥林帕斯先锋奖、英国ORSAS奖。
2004年在北京工商大学获得学士学位，北京市优秀本科毕业生，获得首届国家奖学金；2007年1月于清华大学数学科学系获得理学硕士学位，清华大学优秀硕士毕业生；2010年7月获英国格拉斯哥大学博士学位（导师Asen Asenov, 詹姆斯.瓦特首席教授, RSE院士, IEEE会士），获英国ORSAS奖。博士毕业后就职于英国格拉斯哥大学，任副研究员；2016年5月至2018年2月就职于新思科技（Synopsys），任终身高级工程师；2018年2月回国，任华中科技大学教授。
主要从事设计工艺协同优化（DTCO）方法及EDA、新型存算一体芯片技术等方面研究。
（1）设计工艺协同优化方法及EDA：长期深入研究先进工艺TCAD及紧凑模型，在基于随机涨落的DTCO方法和EDA工具做出了多个原创性工作，前期成果完整转化成新思科技DTCO工具链；回国后在新型TCAD、紧凑模型智能提取、寄生参数建模新方法、智能化DTCO方法、3DIC多物理场仿真等方面做出了一系列新工作。以及一切从科学（数学）原理出发的新型求解技术。
（2）存算一体芯片技术：在存算一体方面开展了深入的协同设计优化研究，涉及跨层次建模仿真、器件研制、芯片设计流片。首先，建立忆阻器多物理场可靠性模型，提出忆阻器大规模阵列快速仿真算法与模型部署算法。基于芯片设计研制的探索实践，形成了忆阻器存算一体芯片的协同设计方法及对应EDA工具原型。其次，从原理层面揭示氧化物忆阻器稳定多态调控的基本规律，提出并制备具有优秀突触特性的HfOx/AlOy类超晶格忆阻器，并开发其CMOS后端集成技术，经180nm、55nm共四代全晶圆流片，良率大于96%。设计可重构深度流水线存算一体PE核，基于国产CMOS工艺成功实现Mb级芯片设计流片；提出并验证多重新型V/R-R存内逻辑完备体系，提高逻辑执行效率；提出并验证高灵活性和高吞吐量的岛式脉动阵列存算新架构，并提出位融合技术有效控制器件偏差影响降低功耗。
主持：1.国家自科基金“叶企孙”科学基金重点支持项目（U2341221, 258万，2024/01-2027/12）、2.国家自科基金面上项目（62274070, 52万，2023/01-2026/12）、3.国家重点研发计划课题（2024YFB4405502, 420万，2024/11-2027/12）、4.国家****项目任务（3634.91万）、5.武汉市联合实验室项目（200万，2024/07-2027/07）、6.****企业联合研发项目（***万）、7.华中科技大学交叉研究支持计划项目（2023JCYJ042，40万，2023/01-2025/12）、**3领域基金（90万，2025年结题）、国家重点研发计划项目子课题、湖北省科技重大专项子课题、武汉市重大专项子课题、企业研发项目（华为、国微芯）等共10余项。实际负责1项国家重点研发计划项目（2019YFB2205100, 2253万，2020/01-2023/12），参与1项国家自然科学基金应急管理项目。负责华中科技大学-国微芯EDA联合实验室、华中科技大学-Synopsys微纳电子设计联合实验室。
在Adv. Sci. 、IEEE EDL、IEEE TED、APL、SCIENCE CHINA等微电子领域权威期刊和DAC、ICCAD、IEDM、VLSI、IRPS、ISCAS等国际知名学术会议上发表论文140余篇，其中2011年发表的IEDM论文FWCI指数>20。获授权中美发明专利50多项。国内首部《EDA技术白皮书》方向主编。指导组内研究生获得中国研究生创“芯”大赛全国决赛一等奖2项（“优秀指导教师奖”2024、2025）、华为/飞腾企业专项一等奖2项（2026），二等奖2项(2023、2026)、新思科技/概伦电子企业专项二等奖3项、三等奖数项；指导本科生多次获得校级优秀毕设。五年内累计培养15名优秀硕博士毕业生，10人获国家奖学金。
担任国家重点研发计划项目会评专家，国家自然科学基金委函评会评专家，教育部评审专家；担任IEEE/CAAI/CCF高级会员，IEEE ICTA/IEEE ISEDA分委会主席，DAC/DATE/EDTM TPC委员；产学研组织EDA2 技术委员、Standard Committee Chair。
我们欢迎对科学与技术问题深入执着的探索创新！
研究组欢迎对建模仿真EDA、存算一体器件制备及电路芯片系统设计感兴趣的同学保研。欢迎联系并申请博士后及以上教职。