王兴晟
专利
当前位置: Chinese homepage >> 科学研究 >> 专利- 王兴晟,黄梦华,王成旭,缪向水.忆阻器单元与CMOS电路的后端集成结构及其制备方法.发明,ZL202210933678.X,2022-08-04
- 王兴晟,王成旭,阳帆,黄梦华,缪向水.忆阻器单元与CMOS电路的后端集成结构及其制备方法.发明,ZL202111307961.3,2021-11-06
- 王兴晟,彭治梁,袁正午,王奕琛,缪向水.紧凑模型参数生成系统的构建方法及其参数生成方法.发明,ZL2024104481860,2024-04-15
- 王兴晟,王庆洁,阳帆,李楠,江品锋,王乐天,黄俊澄,缪向水.面向存算的低功耗比特可重构模数转换器及其操作方法.发明,ZL202410494146X,2024-04-24
- 王兴晟,彭治梁,袁正午,王奕琛,缪向水.集成电路器件的紧凑模型参数提取模型的构建方法及应用.发明,ZL2024104406906,2024-04-12
- 王兴晟,宋玉洁,吴琦雯,缪向水.NON-VOLATILE BOOLEAN LOGIC CIRCUIT BASED ON MEMRISTORS AND OPERATION METHOD THEREOF.PCT或外国申请,US11967953,2022-07-22
- 王兴晟,张子冲,缪向水.一种增强铪基铁电薄膜极化的热再唤醒操作方法及系统.发明,ZL 2023 1 0553633.4,2023-05-17
- 王兴晟,马颖昊,阳帆,缪向水.忆阻器的自写止操作电路及自写止操作方法.发明,ZL202310122808.6,2023-02-16
- 王兴晟,余豪,王成旭,缪向水.一种非对称铁电隧穿结多值存储单元的调制方法.发明,ZL202010049214.3,2020-01-16
- 王兴晟,王成旭,余豪,缪向水.非对称的铁电功能层阵列、铁电隧道结多值存储单元的制备方法.发明,ZL202010049246.3,2020-01-16