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个人简介Personal Profile
王兴晟，华中科技大学集成电路学院教授、武汉光电国家研究中心双聘教授。2004年在北京工商大学获得学士学位，北京市优秀本科毕业生；2007年1月于清华大学数学科学系获得理学硕士学位，清华大学优秀硕士毕业生；2010年7月获英国格拉斯哥大学博士学位（导师Asen Asenov教授, RSE院士, IEEE会士），获英国ORSAS奖。博士毕业后就职于英国格拉斯哥大学，任副研究员；2016年5月至2018年2月就职于Synopsys(新思科技)，任高级工程师(永职)。2017年获批湖北省海外高层次人才计划。2018年2月回国，任华中科技大学教授，华中卓越学者。
主要从事微纳电子器件与系统、新型存储器与存算一体技术、随机涨落可变性与可靠性、设计与工艺协同优化（DTCO）设计方法学等方面研究。较早提出并长期深入研究先进工艺DTCO EDA方法，在基于随机涨落的设计工艺协同优化方法和EDA领域做出了多个原创性工作，前期成果完整转化成新思科技DTCO工具链；深入研究存算一体CIM技术，在新型非易失存储器件、规模集成、计算方法、电路设计、芯片架构设计、高算力高能效智能芯片研制、以及协同设计方法等方面取得了多个阶段性成果。
在英国，重点参与主持了欧洲英国科研项目6项，总经费550多万英镑。回国后，作为负责人主持国家自然科学基金“叶企孙”科学基金重点支持项目、面上项目、重点研发计划项目子课题、湖北省科技重大专项子课题、武汉市重大专项子课题、横向项目4项；重点参与重点研发计划项目（第二负责人）、国家自然科学基金应急管理项目等。在Adv. Sci. 、IEEE EDL、IEEE TED、APL、SCIENCE CHINA等微电子领域著名期刊和DAC、IEDM、VLSI等国际知名会议上发表论文110来篇，包括两个IEEE TED封面论文，并著有2个专著章节。其中2011年发表的IEDM论文FWCI指数大于20，领域内顶尖1%论文。申请专利数十项，授权中国发明专利十来项美国专利一项。作为方向主编和特邀主编，重点参与撰写国内首部《EDA技术白皮书》。指导组内研究生获得中国研究生创“芯”大赛全国决赛二等奖一项三等奖数项；指导本科生多次获得校级优秀毕设。
湖北省百人计划入选者，华中卓越学者；国家重点研发计划项目会评专家，教育部评审专家，国家自然科学基金委评审专家；英国ORSAS奖获得者，2022年度华为奥林帕斯先锋奖获得者；IEEE高级会员、CAAI高级会员、CCF高级会员；IEEE ICTA、IEEE ISEDA分会主席等。