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当前位置： Chinese homepage >> 科学研究 >> 论文成果Physics-Based Device-Circuit Cooptimization Scheme for 7-nm Technology Node SRAM Design and Beyond
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论文类型：期刊论文
第一作者：Qiang Huo
通讯作者：Zhenhua Wu, Xingsheng Wang, Feng Zhang, Ling Li
合写作者： Zhenhua Wu, Weixing Huang, Jiaxin Yao, Jianhui Bu, Ming Liu
发表刊物：IEEE Transactions on Electron Devices
收录刊物：EI、SCI
所属单位：IMECAS, Huazhong University of Science and Technology
刊物所在地：USA
学科门类：工学
一级学科：电子科学与技术
文献类型：J
卷号：67
期号：3
页面范围：907-914
关键字：7-nmtechnologynodeandbeyond,devicecircuit cooptimization, FinFET, static random access memory (SRAM)
发表时间：2020-03-01