王兴晟
专利
当前位置: Chinese homepage >> 科学研究 >> 专利READ-WRITE CIRCUIT AND READ-WRITE METHOD OF MEMRISTOR
点击次数:
所属单位:华中科技大学
申请专利人:王兴晟,黄恩铭,缪向水
专利类型:PCT或外国申请
授权号:US11238928
发明人数:3
申请日期:2020-10-19
授权日期:2022-02-01
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所属单位:华中科技大学
申请专利人:王兴晟,黄恩铭,缪向水
专利类型:PCT或外国申请
授权号:US11238928
发明人数:3
申请日期:2020-10-19
授权日期:2022-02-01